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深圳市新天源
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发工业园一栋
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- 4MHz～100MHz
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封装模式： 3×8 调整频差 ： ±5～±30ppm at 25℃±2℃ 谐振电阻（Rr）： ≤120Ω 负载电容（CL）： 12PF～20PF 温度频差（FL-T）： ±20ppm
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- 3.579545MHz～100MHz
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封装模式： 3×10 调整频差 ： ±5～±30ppm at 25℃±2℃ 谐振电阻（Rr）： ≤120Ω 负载电容（CL）： 12PF～20PF 温度频差（FL-T）： ±20ppm
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- 3.579545MHz～100MHz
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封装模式： 3×9 调整频差： ±5～±30ppm at 25℃±2℃ 谐振电阻（Rr）： ≤120Ω 负载电容（CL）： 12PF～20PF 温度频差（FL-T）： ±20ppm
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- 6.000MHz～48MHz
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封装模式： 2×6 调整频差 ： ±5ppm ～±30PPM at 25℃± 2℃ 谐振电阻（Rr）： ≤150Ω 负载电容（CL）： 12PF ～30PF 温度频差（FL-T）： ±20ppm
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